N Channel Enhancement Mode Power MOSFET JY11M برای مدارهای سخت و فرکانس بالا

جزئیات محصول:

محل منبع:	چین
نام تجاری:	JEUNKEI
گواهی:	ISO9001,CE
شماره مدل:	JY11M

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	50 عدد (نمونه موجود)
قیمت:	USD0.5-USD1/PC
جزئیات بسته بندی:	مجموعه صادرات
زمان تحویل:	بستگی به مقدار سفارش / قابل توافق دارد
شرایط پرداخت:	T / T ، ، Western Union ، Paypal
قابلیت ارائه:	1000 عدد در روز

مخاطب

توضیحات محصول جزئیات

نام:	ماسفت N کانال	شماره مدل:	JY11M
نوع:	کانال N	ولتاژ منبع تخلیه:	100 ولت (Tc=25°C)
ولتاژ دروازه-منبع:	± 20 ولت	جریان تخلیه مداوم:	110A(Tc=25℃)
حداکثر اتلاف توان:	210 وات	محل اتصال عملیاتی و محدوده دمای ذخیره سازی:	-55~+175℃
بهبود بدن معکوس:	آره
برجسته کردن:	حالت افزایش قدرت mosfet کانال N,حالت افزایش قدرت mosfet JY11M,سخت حالت افزايش قدرت mosfet سوئیچ شده , enhancement mode power mosfet JY11M , Hard Switched enhancement mode power mosfet

توضیحات کلی:

JY11M از آخرین تکنیک های پردازش خندق استفاده می کند تا تراکم سلول بالا را به دست آورد و مقاومت را با امتیاز بارندگی تکراری بالا کاهش دهد.
ویژگی های ترکیبی این طراحی را به یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در برنامه های تغییر قدرت و طیف گسترده ای از برنامه های کاربردی دیگر تبدیل می کند.

ویژگی ها:

● 100V/110A، RDS ((ON) =6.5mΩ@VGS=10V
● تغییر سریع و بازگشت بدن
● ولتاژ و جریان برف باری به طور کامل مشخص شده
● بسته بندی عالی برای انتشار خوب گرما

کاربردها:

● تغییر برنامه
● مدارهای فشرده و فرکانس بالا
● مدیریت انرژی برای سیستم های اینورتر

توضیحات PIN:

حداکثر امتیازات مطلق ((Tc=25°C مگر اینکه به صورت دیگری اشاره شود):

نماد	پارامتر		محدوده	واحد
VDS	ولتاژ منبع تخلیه		100	V
VGS	ولتاژ منبع دروازه		±20	V
منD	جریان تخلیه مداوم	TC=25°C	110	A
		TC=100°C	82
منDM	جریان تخلیه پالس		395	A
PD	حداکثر از بین رفتن قدرت		210	W
TJTSTG	محدوده دمای اتصال کار و ذخیره سازی		-55 ~ +175	°C
RΘJC	مقاومت حرارتی - اتصال به صورت		0.65	°C/W
RθJA	مقاومت حرارتی - اتصال به محیط		62

TO220-3 طرح بسته بندی:

نماد	mm			اینچ			نماد	mm			اینچ
نماد	دقیقه	نام	مکس	دقیقه	نام	مکس	نماد	دقیقه	نام	مکس	دقیقه	نام	مکس
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
ب	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	2.50REF			0.098REF
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	ق	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.7	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.94	0.401